Ｍｏｓ−ＦＥＴ超小型１２００ＭＨｚ・２Ｗアンプの製作 |
ＮＥＣから発売された新型のＭＯＳ−ＦＥＴを使ってパワーアンプの
実験をしてみました。 ご存知のように、ＧａＡｓアンプと違いＭＯＳは通常のトランジスタの ように１電源で動作でき、マイナス電源が不要です。 アンプの製作も非常にらくで、部品点数も少なく自作するのには 最適なデバイスです。 このＮＥＣのデバイスは多数のシリーズがありますので、用途によって チョイスできます。  http://www.csd-nec.com/microwave/japanese/document_j.html 今回は１２９５ＭＨｚで実験しました。 結果は、
効率も約５０％以上はあり、発熱も少なくＦＢです。 ちなみに電源電圧６Vでは、２．５W以上の出力を得られました。   今度はパラで実験してみます。 目標は５Wです。 |