ずいぶん前に実験をして、そのままになっていた富士通の GaAs デバイス「FLL120」を用いた 2400MHz 帯パワーアンプについて、改めて実験と測定を行いました。

主なスペックは下記の通りです。

FLL120（富士通）
VDS：10V
周波数：2.3GHz
出力：40dBm（P1dB）
ゲイン：10dB（G1dB）

この GaAs デバイスは 2.4GHz 帯でも高出力が期待できます。
ゲート電圧はマイナスバイアスで ?0.5??0.3V 程度、ドレイン電流は 3A 以上流れます。
2.4GHz でもおよそ 9dB のゲインが得られ、アイドリング電流は VDS=12V で約 3.6A に設定しました。
非常に発熱が大きいため、放熱には十分な注意が必要です。

ミーリングケースに基板を組み込み、基板上には 3 端子レギュレーター（78L05）と 7550 を用いて マイナス電圧を生成しています。入出力コネクタには SMAJ 端子を使用しました。

実験に使用した機材は以下の通りです。
SG：Anritsu MG3681A
パワー計：HP437B ＋ HP8481B

測定条件（2427MHz）：
入力：1.5W
VDS：12V
VG：?0.3V
出力：12.1W（ピーク）

スタブ、トリマー、ゲートバイアスを何度も追い込み、最終的に 12W の出力を得ることができました。
入力を 2W まで上げても出力はほとんど変化せず、1.5W 付近で飽和している様子が分かります。

動作中は電流値がアイドリング時より下がり、およそ 2.5A 程度になりましたが、それでもかなりの 発熱があります。温度が上昇すると出力も少しずつ低下していくため、運用時には大型ヒートシンクや 強制空冷など、十分な放熱対策が必須になります。

FLL120 はジャンクで見かけることも多いデバイスですが、きちんとバイアスと放熱を行えば 2400MHz 帯でも実用的なハイパワーアンプとして活用できることが分かりました。