１２００ＭＨｚＭｏｓモジュールアンプの製作（三菱 RA18H1213G）

三菱の Mos-FET パワーモジュールを入荷しましたので、早速実験をしてみました。
（発注から２ヶ月で届きました）

このモジュールは ICOM のトランシーバーに使用されているもので、M57762 の新型ともいえる物です。

スペックは下記の通りです。

RA18H1212G
VDD：12.5V
VGG：5V（1mA）
Pin：200mW
FREQ：1.24～1.3GHz
MAX-POW：40W

このパワーモジュールは３段アンプ構成になっており、すべて MOSFET デバイスが使用されています。
ゲート電圧でパワーコントロールができるようになっており、5V・1mA と非常に少ない電流でコントロールが可能です。
GAIN は 23dB 以上もあり、低入力でハイパワーが得られます。
また、アイドリング電流は VDD 12V、VGG 5V の時に 2A 以上ありますので、注意が必要です。

シングル構成での簡易実験

まず簡易に実験してみました。
実験に当たっては、アルミミーリングケースに回路を組み込み、内部に３端子レギュレーター（78L05）で VGG 電圧を得ています。
入出力コネクターには SMAJ 端子を使用しています。

発振器には、無線機 TS-790G を CW モードで使用し、更に 10dB のアッテネーターを挿入して電力を調整しています。
パワー計は HP437B + HP8481B で測定しました。

実験条件は次の通りです。

周波数：1295MHz
入力：150mW
電圧：13.8V
VGG：5V
出力：33W（ピーク）

無調整で、なんと 33W のパワーが出ました。
200mW まで入力電力を上げてみましたが、出力はほとんど変わりませんでした。つまり 150mW でも飽和しているようです。

また、電流値が 10A 近く流れるので、かなりの発熱があります。
このモジュールは MOS なので、温まってくると当然パワーは下がってきます。
それでも放熱をしっかりすると、28W 以上は出ているようです。
データシートによると、0.42℃/W の放熱器が必要ですので、かなりの大型の放熱器が必要でしょう。

パワーを調整するには、ゲート電圧をコントロールするだけで簡単に出来そうです。
ゲート電流は 1mA ですので、簡単に VR でコントロールできるでしょう。
また、ドレイン電圧は 12V 位の方が発熱が少なくてよさそうです（パワーは 25W 程度になります）。
計算しますと効率は 20％程度ですが、データシートの記載と同じようです。

周波数が低いほど出力が大きくなるようで、1280MHz ではピークで 40W の出力も得られました。

このモジュールは入力電力が少なくて済むので、直下型アンプとか自作の機器に用途は多彩で、放熱をしっかりすれば多段合成で EME アンプとして使用できると思われます。
これからも続けて実験してみたいです。

2007.4.11（更新）

モジュール２合成アンプの実験

今回はモジュールの２合成実験をしてみました。
下記の写真のように、基板で２個のパワーモジュールを合成しています。