前回と同じように、ＮＥＣから発売されたのＭＯＳ−ＦＥＴを使ってパワーアンプの実験をしてみました。
今回のデバイスはＮＥ５５２Ｒ４７９Ａ（ＮＥＣ）を使ってみました。
このデバイスは２．４ＧＨｚ用のＭｏｓ−ＦＥＴですが、今回は１．２ＧＨｚで使用してみました。
結果は、思ったよりパワーが出ました。
- 電源電圧：６Ｖ（VDS）
- 入力：１００ｍＷ
- 出力：１．５Ｗ
- ＩＤ：４５０ｍＡ(set)
- 電流：約７００ｍA(ID)
こちらも効率が約５０％以上はあり、発熱も少なくなりました。
今回は１．２ＧＨｚ専用に考えて、可変電圧レギュレーター（ＬＭ３１７）とＬＰＦを実装した、一体型の基板を作成しました。
特にＬＰＦは楕円関数を使ったもので、スプリアスは６０ｄＢ以上の減衰が有りました。スペアナではスプリアスを観測できないほどです。
ＦＥＴの電圧は６Ｖですので、電源電圧は８Ｖ〜１５Ｖ入力で使用できますし、電圧が可変できますのでパワーコントロールも可能です。
基板のサイズですが、４５ｍｍ×２７ｍｍですので、組込み用としては最適です。
★調整方法
- バイアス調整用のＶＲを中間位置にセットしておく。
- 電圧調整用のＶＲで６Ｖ〜６．５Ｖに設定する。
- １００ｍＷ程度入力して、バイアス調整のＶＲで最大パワーにする。
- トリマーコンデンサーを調整し最大出力になるようにし、(3)(4)の調整を繰り返す。
- バイアス電圧が、3Ｖ前後であることを確認する。
- パワーが少ないときは、図面の位置にジャンパー線を入れフィルターの調整をする。
*電圧(Vds)を変更した時は、必ずバイアス電圧を再調整してください。
*バイアス電圧（Vgs）は５Ｖを超えないようにする。
自作のケースに入れてみました。
ケースはヒートシンクも兼ねていますので、連続運転でも大丈夫そうです。
入出力のコネクターはＳＭＡとしました。
電源は貫通コンデンサーで供給します
完成したケースの寸法は５４mm(W)×４５mm(D)×１６mm(H) 突起物を含まず。
 
★測定結果
ＦＥＴの電源電圧を６．５Ｖに調整して、入出力の測定を行ってみました。
- 電源電圧：１２Ｖ
- 入力周波数：１２８０ＭＨｚ
- ＦＥＴ電圧（Vds）：６．５Ｖ
- ドレイン電流(ID)：６７０ｍＡ
- バイアス電圧(Vgs)：３．２Ｖ
入力電力：出力電力(mW)
- 10mW --- 380mW
- 20mW --- 690mW
- 50mW --- 1290mW
- 100mW --- 1630mW
測定の結果はゲインは約１５．５ｄＢで最大電力(IP3)は１．６Ｗ（１００ｍＷ入力）になりました。
回路図はこちらです（PDF）
基板が出来上がりました、配布を致します。
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Ｍｏｓ−ＦＥＴ小型１２００ＭＨｚ・１．５Ｗアンプの製作