NECから発売された新型のMOS-FETを使ってパワーアンプの実験をしてみました。

ご存知のように、GaAsアンプと違い MOS は通常のトランジスタのように １電源で動作でき、マイナス電源が不要です。アンプの製作も非常に楽で、 部品点数も少なく自作するのには最適なデバイスです。

この NEC のデバイスは多数のシリーズがありますので、用途によって チョイスできます。

今回は 1295MHz で実験しました。結果は以下の通りです。

• 電源電圧：5V（VDS）
• ID：300mA（set）
• 電流：約700mA（ID）
• 入力：150mW
• 出力：2W

効率も約 50％ 以上はあり、発熱も少なく FB です。
ちなみに電源電圧 6V では、2.5W 以上の出力を得られました。

今度はパラで実験してみます。目標は 5W です。