Mos−FET超小型1200MHz・2Wアンプの製作


NECから発売された新型のMOS−FETを使ってパワーアンプの 実験をしてみました。

ご存知のように、GaAsアンプと違いMOSは通常のトランジスタの ように1電源で動作でき、マイナス電源が不要です。
アンプの製作も非常にらくで、部品点数も少なく自作するのには 最適なデバイスです。

このNECのデバイスは多数のシリーズがありますので、用途によって チョイスできます。



http://www.csd-nec.com/microwave/japanese/document_j.html

今回は1295MHzで実験しました。

結果は、
  • 電源電圧:5V(VDS)
  • ID:300mA(set)
  • 電流:約700mA(ID)
  • 入力:150mW
  • 出力:2W 

効率も約50%以上はあり、発熱も少なくFBです。

ちなみに電源電圧6Vでは、2.5W以上の出力を得られました。

実験基板



今度はパラで実験してみます。
目標は5Wです。




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