昨日、三菱のMos-FETパワーモジュールを入荷しましたので、早速実験をしてみました。
（発注から２ヶ月で届きました）
このモジュールはＩＣＯＭのトランシーバーに使用されているもので、Ｍ５７７６２の新型ともいえる物です。
スペックは下記の通りです。
ＲＡ１８Ｈ１２１２Ｇ
ＶＤＤ：１２．５Ｖ
ＶＧＧ：５Ｖ （1ｍＡ）
Ｐｉｎ：２００ｍＷ
ＦＲＥＱ：１．２４〜１．３ＧＨｚ
ＭＡＸ-ＰＯＷ：４０Ｗ
このパワーモジュールは３段アンプ構成になっており、すべてＭＯＳＦＥＴデバイスが使用されています。
ゲート電圧でパワーコントロールができる様になっており、５Ｖ １ｍＡと非常に少ない電圧でコントロールが可能です。
ＧＡＩＮは２３ｄＢ以上もあり、低入力でハイパワーが得られます。
また、アイドリング電流はＶＤＤ１２Ｖ、ＶＧＧ５Ｖの時に２Ａ以上ありますので、注意が必要です。
まず簡易に実験して見ました。
実験に当たっては、アルミミーリングケースに回路を組み込み、内部に３端子レギュレーター（７８Ｌ０５）でＶＧＧ電圧を得ています。
入出力コネクターには、ＳＭＡＪ端子を使用しています。
発振器には、無線機：ＴＳ−７９０Ｇ ＣＷモードで、更に１０ｄＢのアッテネーターを挿入して、電力を調整しています。
パワー計はＨＰ４３７Ｂ＋ＨＰ８４８１Ｂで測定しました。
周波数：１２９５ＭＨｚ
入力：１５０ｍＷ
電圧：１３．８Ｖ
ＶＧＧ：５Ｖ
出力：３３Ｗ（ピーク）
無調整で、なんと３３Ｗのパワーが出ました。
２００ｍＷまで入力電力を上げてみましたが、出力は殆ど変わりませんでした、つまり１５０ｍＷでも飽和しているようです。
また、電流値が１０Ａ近く流れるので、かなりの発熱があります。
このモジュールはＭｏｓなので、温まってくると、当然パワーは下がってきます。
それでも放熱をしっかりすると、２８Ｗ以上は出ているようです。
データシートによると、０．４２℃／Ｗの放熱器が必要ですので、かなりの大型の放熱器が必要でしょう。
パワーを調整するには、ゲート電圧をコントロールするだけで、簡単に出来そうです。
ゲート電流は１ｍＡですので、簡単にＶＲでコントロールできるでしょう。
また、ドレイン電圧は１２Ｖ位の方が、発熱が少なくてよさそうです。
（パワーは２５Ｗ程度になります）
計算しますと、効率は２０％程度ですが、データシートの記載と同じようです。
周波数が低いほど出力が大きくなるようで、１２８０ＭＨｚではピークで４０Ｗの出力も得られました。
このモジュールは入力電力が少なくて済むので、直下型アンプとか、自作の機器に用途は多彩で、
放熱をしっかりすれば、多段合成でＥＭＥアンプとして使用できると思われます。
これからも続けて実験してみたいです。
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１２００ＭＨｚＭｏｓモジュールアンプの製作
