Ｍｏｓ−ＦＥＴ超小型２４００ＭＨｚアンプの製作 |
ＮＥＣから発売された新型のＭＯＳ−ＦＥＴを使ってパワーアンプの
実験をしてみました。 以前、ＮＥＣの新型のＭＯＳ−ＦＥＴで１２００ＭＨｚのアンプ実験を しましたが、今度は別のデバイスを使って実験してみました。 ＮＥ５５２Ｒ４７９Ａ ＮＥＣ このＦＥＴは主に２．４ＧＨｚ帯ように作られたもので、低電圧でパワーが 得られるデバイスです。 ご存知のように、ＧａＡｓアンプと違いＭＯＳは通常のトランジスタの ように１電源で動作でき、マイナス電源が不要です。 アンプの製作も非常にらくで、部品点数も少なく自作するのには 最適なデバイスです。 このＮＥＣのデバイスは多数のシリーズがありますので、用途によって チョイスできます。 詳しいデータは下記 http://www.csd-nec.com/microwave/japanese/pdf/PU10124EJ03V0DS.pdf 今回は２４２７ＭＨｚで実験しました。 まず、シングルでの動作ですが、
ＭＯＳ−ＦＥＴですので、１電源で動作可能ですので、回路構成は非常に 簡単です。 さらに２段構成の基板を作り実験しました、２段目はウイルキンソンで２パラ動作です。 
さらに電圧７Ｖでは２Ｗの出力を得られました！！ 詳しくは、後ほど発表しますが、なかなか面白いデバイスです。 これからはＭＯＳ−ＦＥＴが主流になるのでしょうか、ＧａＡｓですと環境にも良く ないし、作りにくいですし（＾＾； もっと多くの種類のMOS-FETが出てくることを期待します。 引き続き、ＭＯＳ−ＦＥＴ ＮＥ５５２Ｒ４７９Ａ （ＮＥＣ）を 使った実験をしました。 今回も２．４ＧＨｚでのアンプです。 少し基板を改良して、各段のバイアスを調整できるように 作り直しましたら、その結果、安定して出力を得ることに 成功しました。 
下記に実験結果記載します。 -------------------------------------------------- ＮＥ５５２Ｒ４７９Ａ （ＮＥＣ） ２段パワーアンプ（３石） 測定周波数：２４２７ＭＨｚ ＊入力電力：５０ｍＷ 電圧：５Ｖ 出力：１４４０ｍＷ 消費電流：１．２Ａ 電圧：６Ｖ 出力：１８２０ｍＷ 消費電流：１．４Ａ 電圧：７Ｖ 出力：２２７０ｍＷ 消費電流：１．３Ａ ＊入力電力：７０ｍＷ 電圧：５Ｖ 出力：１５５０ｍＷ 消費電流：１．２Ａ 電圧：６Ｖ 出力：２０４０ｍＷ 消費電流：１．４Ａ 電圧：７Ｖ 出力：２５５０ｍＷ 消費電流：１．４Ａ ＊入力電力：１００ｍＷ 電圧：５Ｖ 出力：１５７０ｍＷ 消費電流：１．２Ａ 電圧：６Ｖ 出力：２１７０ｍＷ 消費電流：１．５Ａ 電圧：７Ｖ 出力：２８１０ｍＷ 消費電流：１．５Ａ --------------------------------------------------  推奨動作電圧が３Ｖ〜４Ｖですので、アマチュア的には６Ｖでの 動作が安定してよい感じです。 スプリアスですが、第二高調波、第三高調波が認められましたので 簡単なＬＰＦ（ローパスフィルター）を挿入したところ、法定内に収まりました。 ＬＰＦはマイクロストリップラインで作り、再現性も良く出来ました。 ＬＰＦの帯域内の通過損失は約０．７ｄＢ程度です。  右上が入力、左が出力側です。 基板が出来上がりました、配布を致します。 ご注文、ご質問はこちらまで コスモウェーブから基板、パーツ付基板、完成品を販売してもらうことになりました。 そこで、基板を入手した方の為に調整法を解説します。 まず初めに基板をしっかりした放熱器に取り付けます。シリコンはデバイスの下辺りに薄く塗ると 良いでしょう。 入力及び出力のラインにコネクターorケーブルを取り付けます。近くにグランドパターンが有るので利用します。 ケーブルは１．５Ｄ−２Ｖでも構いませんがテフロンケーブルが良いでしょう、セミリジッドケーブルを使うときは パターンを壊しやすいので注意して取り付けてください。 １６Ｖ１００μＦのコンデンサーのランドをジャンパーします。このランドは３端子レギュレーター（７８Ｔ０５）用を です。このレギュレーターは５Ｖ、３Ａの規格です。もしレギュレーターを取り付けるときは、電流容量とＩＣの端子の 向きに注意してください。通常の７８０６等のＩＣは最大電流が１Ａですので使用できません、注意してください。 調整は２ＫΩのＶＲでパワーが最大のところにバイアス電圧を調整するだけです。そのときにバイアス電圧が４Ｖを超え ないように注意してください。過電圧のですと、最悪の場合ＦＥＴが破壊します。ＶＲは何度か繰り返して調整してください。 その後ゲートの電圧をテスターで計測し、２．５Ｖ〜３．５Ｖになっていれば問題ありません。 ドレイン電流（無負荷電流）が１．５Ａ以下になる様にしましょう。 以上で調整終了です。 ＦＥＴは熱で出力が下がって来ますので、放熱は十分行ってください。 専用ＬＰＦを取り付けた場合ですが、スタブの追加で出力が増す時がありますので、もう少しパワーがほしいときは、 ＬＰＦ写真の左側の長方形のパターンと細いラインの交点辺りにスタブを追加してみてください。 調整時にショートさせると、ＦＥＴが壊れますので細心の注意をしてください。  回路図はこちらです（PDF）  基板が出来上がりました、配布を致します。 ご質問はこちらまで 購入はコスモウェーブ・オンラインショップ |