ずいぶん前に実験をしてそのままになっていた、富士通のＧａＡｓデバイス ＦＬＬ１２０アンプの実験をしてみました。
このＦＬＬ１２０デバイスはジャンク品などでよく見かける物です。
スペックは下記の通りです。
ＦＬＬ１２０ 富士通
ＶＤＳ：１０Ｖ
ＦＲＥＱ：２．３ＧＨｚ
ＰＯＷＥＲ：４０ｄＢｍ (P1db）
ＧＡＩＮ：１０ｄＢ (G1db）
このＧａＡｓデバイスは２．４ＧＨｚ帯でも高出力が望めます。
ゲート電圧はマイナスバイアスになり、−０．５Ｖ〜−０．３Ｖ位で、ドレイン電流は３Ａ以上流れます。
ＧＡＩＮは２．４ＧＨｚでも約９ｄＢはとれます。
アイドリング電流はＶＤＳ１２Ｖで約３．６Ａに設定しました。非常に発熱しますので、放熱には十分な注意が必要です。
ミーリングケースに基板を組み込み実験して見ました。
基板上で３端子レギュレーター（７８Ｌ０５）と７５５０でマイナス電圧を得ています。
入出力コネクターには、ＳＭＡＪ端子を使用しています。
発振器には、ＳＧを使い、以前に製作した、Ｍｏｓパワーアンプで出力を上げています。
ＳＧ：ＭＧ３６８１Ａ
パワー計：ＨＰ４３７Ｂ＋ＨＰ８４８１Ｂ
周波数：２４２７ＭＨｚ
入力：１．５Ｗ
電圧：１２Ｖ
ＶＧ：−０．３Ｖ
出力：１２．１Ｗ（ピーク）
スタブとトリマー、ゲートバイアスを何度も調整して、１２Ｗのパワーが出ました。
２Ｗまで入力電力を上げてみましたが、出力は殆ど変わりませんでした、１.５Ｗでほぼ飽和しているようです。
また、電流値はアイドリングより下がり、２．５Ａ程度になりました。やはりかなりの発熱があります。
温まってくると、これもパワーは下がってきますので、放熱はしっかりする必要があります。
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２４００ＭＨｚＧａＡｓパワーアンプの製作（ＦＬＬ１２０）